mas1xx_ope:use_di_do:start
DI/DO の利用
MA-S1xx シリーズには、標準で DI x 4ch, DO x 2ch が実装されています。
MA-S120/LAD-B には、DI x 12ch, DO x 4ch が実装されています。
ハードウェア仕様
電気的仕様
DI (入力)
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 接点入力 | 電圧接点入力 |
| ポート数 | 4ch (DIN 0〜3) |
| コモン | 4ch/コモン |
| 入力電圧 | DC12〜24V±10% (DC10.8V〜26.4V) |
| 入力閾値 | ON : DC10V以上, OFF: DC3V以下 |
| 入力電流 | 約2.5mA〜5mA |
| 入力インピーダンス | 約6kΩ |
| 絶縁方式 | フォトカプラ絶縁 |
| 絶縁耐圧 | DC500V1分間, 外部端子〜内部回路間 |
DO (出力)
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 接点出力 | オープンコレクタ出力 |
| ポート数 | 2ch (DOUT 0,1) / 4ch |
| コモン | 2ch/コモン / 4ch/コモン1) |
| 負荷電圧 | DC26.4V(最大) |
| 負荷電流 | DC50mA(最大) |
| ON電圧 | DC1.1V以下(最大負荷時) |
| OFF時漏洩電流 | 0.1mA以下 |
| 保護機能 | 過電流保護 |
| 絶縁方式 | フォトカプラ絶縁 |
| 絶縁耐圧 | DC500V1分間, 外部端子〜内部回路間 |
等価回路
DI
DI 部はフォトカプラ及び電流制限抵抗により構成されています。
また、電源の接続方法によりプラスコモン、及びマイナスコモンの機器との接続も可能です。
DO
DO 部は、フォトカプラと過電流保護素子により構成されています。
ソフトウェア
DI
libgpiod を使用したアクセス
MA-E3xx シリーズで利用していた GPIO sysfs interface は deprecated2) になり将来的に廃止されるため、
MA-S1xx シリーズでは後継の libgpiod3) を使用してアクセスします。
コマンドラインでアクセスするには、gpiod package のコマンドでアクセスできます。
※gpiofindでピン番号が確認でき、gpiogetでON/OFFの確認が出来ます4)
例
root@gemini:~# gpiofind DI0 gpiochip0 102 root@gemini:~# gpiofind DI1 gpiochip0 103 root@gemini:~# gpiofind DI2 gpiochip0 104 root@gemini:~# gpiofind DI3 gpiochip0 105 root@gemini:~# gpioget `gpiofind DI2` 1
超低消費電力マイコン経由でのアクセス
DO
MA-E3xx シリーズと同様に、LED class driver にマッピングしてあります。
root@gemini:~# ls -l /sys/class/leds/DO* lrwxrwxrwx 1 root root 0 Oct 30 19:58 /sys/class/leds/DO0 -> ../../devices/platform/leds/leds/DO0 lrwxrwxrwx 1 root root 0 Oct 30 19:58 /sys/class/leds/DO1 -> ../../devices/platform/leds/leds/DO1
mas1xx_ope/use_di_do/start.txt · 最終更新: 2023/06/01 14:40 by admin
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